Memory Window Enhancement in Antiferroelectric RAM by Hf Doping in ZrO2 7. Juli 2022 IEEE Electron Device Letters >10.1109/LED.2022.3189159 Schlagwörter 2022, IEEE LED Schreibe einen Kommentar Antworten abbrechenDeine E-Mail-Adresse wird nicht veröffentlicht. Erforderliche Felder sind mit * markiertKommentar * Name * E-Mail * Website Meinen Namen, meine E-Mail-Adresse und meine Website in diesem Browser für die nächste Kommentierung speichern.
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